Od vynálezu prvého polovodičového laseru&# 39 na svete v roku 1962 došlo v polovodičovom laseri k veľkým zmenám, čo výrazne podporuje rozvoj ďalších vied a technológií.
V posledných rokoch je vývoj polovodičového laseru s nízkou spotrebou energie používaný v informačných technológiách veľmi rýchly. Napríklad DFB a dynamické jednomódové laserové diódy používané pri komunikácii optickými vláknami, laserové diódy viditeľnej vlnovej dĺžky široko používané pri spracovaní optických diskov a dokonca aj ultra krátke pulzné laserové diódy boli výrazne vylepšené.
Nízkoenergetické laserové diódy sa vyznačujú vysokou integráciou, vysokou rýchlosťou a laditeľnosťou. Urýchľuje sa aj vývoj veľkých vysokovýkonných polovodičových laserov.
V 80. rokoch bol výstupný výkon nezávislých laserových diód viac ako 100 MW a účinnosť premeny dosiahla 39%. V 90. rokoch Američania opäť zvýšili index na novú úroveň a dosiahli 45% účinnosť konverzie. Pokiaľ ide o výstupný výkon, zmenil sa tiež z w na kW.
V súčasnosti s podporou výskumných projektov polovodičové lasery dosiahli veľký pokrok v štruktúre čipov, epitaxnom raste, balení zariadení a ďalších laserových technológiách a výkon jednotkových zariadení tiež dosiahol zásadný prielom: účinnosť elektrooptickej premeny je viac ako 70%, uhol divergencie lúča je veľmi nízky, nepretržitý výstupný výkon jediného pruhu je viac ako kW a na ochladenie laseru sa používa chladič uhlíkovej nano (CN). Účinnosť je o 30% vyššia ako u tradičných technológia montáže polovodičových tyčí. Výstupný výkon jednej trubice so šírkou 100 μm dosahuje 24,6 W a nepretržitá životnosť s vysokým výkonom je desiatky tisíc hodín.
Vysokoúčinné a vysoko výkonné polovodičové lasery sa tiež rýchlo rozvíjajú vo všetky polovodičové lasery, čo umožňuje polovodičovým laserom LDP získavať nové možnosti a perspektívy vývoja.
